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| 半導體元件/微電子實驗室教學一般主題包括各種元件的製造和特性分析: |
C-V曲線 (高頻:100kHz)
摻雜類型 - 氧化層厚度 - 平帶電壓 - 閥值電壓 - 基體摻雜 - 最大空乏區寬度 - 逆溫層到平衡的靈敏度: 電壓掃描率和方向 - 光和溫度效應 |
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I-V曲線分析
電荷建立 (用低電流源量測電壓-時間圖)。計算氧化層電容。與C-V曲線比較。 |
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C-V曲線 (準靜態)結合C-V曲線
表面電位Ψs與施加電壓的關係– Si (100)的表面狀態Dit = f(Ψs的相比：方向和後處理退火的影響。 |
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C-V曲線 (高頻:100kHz)
移動氧化層電荷密度(偏置溫度應力:200°C，10分鐘，±10V） |
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順向共射極輸出特性:
Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f)量测。 |
順向CE輸入特性：
Ib = f (Vbe) 對於幾個Vce正值。 |
| 順向Gummel曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0). |
| 計算增益βf = Ic/Ib 和 af |
| Βf與log(Ic)的關係。 低注入和高注入的效果。 |
| 非理想特性： 爾利電壓 |
| 逆向CE輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r). |
| 逆向CE傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對於幾個Vce負值。 |
| 逆向Gummel曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0). |
| 計算增益 βr = Ie/Ib 和 ar |
| Βr与log(Ie)的關係： 低注入和高注入的效果。 |
| Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 計算，對於已知Ib電流。 |
| Ebers Moll模型建構並且與實驗做比較。 |
| BE和CE接面的C-V特性分析。基底摻雜濃度。 |
輸出特性: IDS = f(VDS,VGS):
p型MOSFET (增強或空乏)的類型、通道長度調制參數(λ)，在飽和區(VDS<–3V)有效通道長度與VDS的關係 |
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傳輸特性:
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS. |
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基底偏壓特性:
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate. |
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次臨界電壓特性:
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect. |
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基底電流特性:
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels. |
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使用長通道和短通道公式的輸出特性模型:
比較實驗結果 |
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